因为5404的电压反馈是靠C2的,假设C2过大,反馈电压过低,这个也是不稳定,假设C2过小,反馈电压过高,储存能量过少,容易受外界干扰,也会辐射影响外界。C1的作用对C2恰好相反。因为我们布板的时候,假设双面板,比较厚的,那么分布电容的影响不是很大,假设在高密度多层板时,就需要考虑分布电容。有些用于工控的项目,建议不要用无源晶振的方法来起振,而是直接接有源晶振。也是主要由于无源晶振需要起振的原因,而工控项目要求稳定性要好,所以会直接用有源晶振。在有频率越高的频率的晶振,稳定度不高,所以在速度要求不高的情况下会使用频率较低的晶振。无源晶振的输出频率如何用示波器测量?贵州晶振好坏
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路,形成放大器,当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振,由于晶体的Q值非常高,因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去,曾经试验此电路的稳定性时,试过从100K~20M都可以正常启振,但会影响脉宽比的。晶体的Q值非常高,Q值是什么意思呢?晶体的串联等效阻抗是Ze=Re+jXe,Re增大了Re----->降低了Q上海2.4g有源振荡器MEMS技术用于HFF晶体单元/HFF振荡器,使高频产品可以直接以基波起振。
简单晶体振荡器(XO)这是很基本的类型,其稳定度完全由晶体谐振器本身的固有特性决定。在MHz范围内的较高频率晶体由石英棒制成,其制造方式是即使环境温度在-55℃至+125℃(-67°F至+257°F)之间变化,也可提供相对稳定的频率。即使在这么宽的温度范围内,适当切割的石英晶体也可实现±25ppm的稳定度。与诸如随温度变化可达1%(10,000ppm)或更高的LC振荡电路等其它被动谐振器相较,晶体振荡器的性能已大幅提升了。但对于某些应用来说,即使25ppm也不够好,因此必须采用额外措施。
晶振的更换判断出晶振有问题如何更换?首先频率要相同有没有误差呢?同电阻电容一样也有误差,一般用PPM,百万分之一,举例6Mhz+/-50PPM,频率范围在5999700-6000300内都是正常的,代换时如果电路对时间要求不是很严格,可以不用考虑这个问题。第二驱动功率有些IC驱动电压低,换用驱动功率高的晶体不易起振,有些起振后,幅度过低不稳定,比较好换驱动功率低的,容易起振电路稳定,之前曾遇到过这样的问题。有线线路一碰晶振,就停止振荡,怎么办?可以尝试把晶振外壳接地,或换有源晶振。有人会问无源晶振两只脚,有源晶振3只或许4只脚如何代换把有源有源晶振信号输出脚接CPU振荡信号输入脚,任何事情都有例外,有的CPU接振荡信号输出脚也可以,这都是本人亲身经历过的。第三温度系数,对于民用产品影响不大,可以不用考虑我国大力发展晶振产业成为全能型国家 。
AT切型晶振缺陷:传统机械加工难以满足严格的公差要求。AT切割是目前使用量较大的石英晶体类型之一,常用于高频晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm,加工难度大幅增加。大规模生产小型晶体时,需要将公差控制在2um以内,而传统机械加工难以满足严格的公差要求。超高频晶振缺陷:多次倍频导致相噪损失严重。晶振工作频率通常与晶片厚度成反比,传统机械加工适合的频率范围为1-40MHz(对应晶片厚度0.04mm)。以传统方式生产百MHz晶振需要将晶片加工至超薄,从而导致出现稳定性差及易破损的缺点。因此,生产百兆赫兹高频晶振通常采用10MHz成熟产品作为基准频率源,并经过多次倍频获得所需信号。但这样导致电路复杂,相噪损失严重。全球晶振供应紧张致进口价大涨 国内价格同样涨幅较大。青海晶振 英文
通用型晶振紧缺,交期延长 。贵州晶振好坏
晶振与匹配电容的经验总结,匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容,是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2、负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件,也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3、一般情况下,增大负载电容会使振荡频率下降,而减小负载电容会使振荡频率升高。贵州晶振好坏
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